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磁光克爾轉(zhuǎn)角應(yīng)該怎樣測(cè)量
點(diǎn)擊次數(shù)：704 發(fā)布時(shí)間：2023-12-25
在實(shí)際測(cè)量時(shí)，通常采用He-Ne激光作為光源，波長(zhǎng)λ=632.8 nin.磁光介質(zhì)樣品安放在電磁鐵建立的磁場(chǎng)之中，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為4 000 Gs左右.在此條件下，通過偏振分析器可順利地分析出磁光克爾轉(zhuǎn)角θk的大小，如果測(cè)量時(shí)光信號(hào)十分微弱，采用鎖相放大器可大大提高測(cè)量的精﹡度。
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磁光介質(zhì)材料極其θk的大小
隨著磁光信息存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，目前已經(jīng)開發(fā)出多種磁光介質(zhì)材料.在這些材料中比較優(yōu)﹡的有:非晶態(tài)稀土一過渡金屬合金材料(例如Fe-co)、非晶態(tài)錳鉍鋁硅(MnBiA1Si)合金材料和非晶態(tài)錳鉍稀土(MnBiRE)合金材料等。這些材料通常是采用真空蒸鍍、磁控濺射等方法將合金材料沉積于玻璃基底上，磁光薄膜的厚度一般在幾百納米左右。為了提高材料的磁光性能，采取多層膜技術(shù)十分有效.磁光克爾轉(zhuǎn)角一般并不大，以鋱鐵鈷(1bFeco)合金薄膜材料為例，在室溫下其磁光克爾轉(zhuǎn)角僅為0.3L右。MnBiA1Si的磁光克爾轉(zhuǎn)角可達(dá)2.04。如果僅考慮磁光克爾轉(zhuǎn)角的大小，采用簡(jiǎn)單工藝制備的MnBi合金薄膜的磁光克爾轉(zhuǎn)角達(dá)到1.6。左右并不困難.當(dāng)然，在實(shí)際制造磁光盤時(shí)，除了考慮磁光克爾轉(zhuǎn)角這一性能外，還需要綜合考慮其他性能.目前市場(chǎng)上做成磁光盤產(chǎn)品的磁光介質(zhì)以鋱鐵鈷(1bFeco)合金薄膜材料為主。
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物質(zhì) | 科爾轉(zhuǎn)角（度） |
Fe | 0.87 |
Co | 0.85 |
Ni | 0.19 |
Gd | 0.16 |
Fe3O4 | 0.32 |
MnBi | 0.7 |
PtMnSb | 2.0 |