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北京中慧天誠科技有限公司

多晶硅和單晶硅的瞬態(tài)光電導壽命測試方法

時間：2025-6-17閱讀：132
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瞬態(tài)光電導壽命測試儀用于多晶硅、硅單晶生產(chǎn)及高校和科研等。用于多晶硅和單晶硅的控制及實驗室科研。儀器采用高頻光電導法，樣品表面切割研磨面進行測量，壽命儀的放大倍數(shù)是可變的。當出現(xiàn)超過5V的光電導電壓后，可將放大倍數(shù)減為10倍。
產(chǎn)品特點：
1.放大器放大倍數(shù)可調(diào)，可放大2倍、10倍、30倍。
2.光強電壓、脈沖寬度由軟件測試系統(tǒng)界面設定。
3.光強電壓可按設定的步距自動增加，并同時顯示光強增加后壽命值的變化。
4.可自動計算出不同光源電壓下的光脈沖對樣品產(chǎn)生的注入比。
規(guī)格參數(shù)：
適合范圍：測量多晶硅檢驗棒、單晶切斷后的段料及頭尾料；
硅單晶電阻率ρ的測量范圍：5-104Ω•cm；
紅外發(fā)光二極管波長：1.06µm；
脈寬范圍：120µs；
光源電壓：1.2-5V（可在界面上設定光源電壓或設置自動調(diào)節(jié)）。

高頻光電導少子壽命測試儀/瞬態(tài)光電導壽命測試系統(tǒng)

型號：GDW3-LT1000


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