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北京中慧天誠科技有限公司

測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源——紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深大于500μm

時(shí)間：2025-6-17閱讀：212
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高頻光電導(dǎo)少數(shù)載流子壽命測試儀是按照半導(dǎo)體設(shè)備和材料（F28-75）及GB/T1553的要求，采用高頻光電導(dǎo)衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，硅單晶壽命測量ρ≥2Ω·cm。
規(guī)格參數(shù)：
測試范圍：5-10000μs；
電阻率范圍：ρ≥2Ω·cm
參雜硅單晶片（厚度小于1mm），電阻率范圍：ρ＞0.1Ω·cm
重復(fù)性誤差：≤±20%
光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率：＞20~30次/s
光脈沖關(guān)斷時(shí)間：0.2-1μs，余輝＜1μs
紅外光源波長：1.06-1.09μm（測量硅單晶），紅外光在硅單晶內(nèi)穿透深大于500μm如測量鍺單晶壽命需配置適當(dāng)波長的光源
脈沖電源：5A-20A
高頻振蕩源
石英諧振器頻率：30MHz
輸出功率：＞1W
放大器、檢波器
放大倍數(shù)：25倍
頻寬范圍：2Hz-2MHz
光源電極臺(tái)：可測縱向放置的單晶、豎放單晶橫載面的壽命
可測單晶尺寸：
斷面豎測：直徑25-150，厚2mm-500mm
縱向臥測：直徑5mm-150mm，長50mm-800mm
讀數(shù)方式：可選配測試軟件或數(shù)字示波器讀數(shù)
測試軟件：具有自動(dòng)保存數(shù)據(jù)及測試點(diǎn)衰減波形，可進(jìn)行查詢歷史數(shù)據(jù)和導(dǎo)出歷史數(shù)據(jù)等操作。

高頻光電導(dǎo)壽命測試儀/高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀（學(xué)校用）

型號(hào)：KDKLT-1


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