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深圳九州工業(yè)品有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第3年

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elysia-raytest高純度鍺 (HPGe) 阱探測(cè)器介紹?

時(shí)間:2024/1/30閱讀:498
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HPGe

由于 QC 實(shí)驗(yàn)室的樣品量非常小,我們選擇了高純度鍺 (HPGe) 阱探測(cè)器,該探測(cè)器可提供高效率,因?yàn)闃悠穼?shí)際上被有源探測(cè)器材料包圍。


孔檢測(cè)器采用盲孔制造,在孔底部留下至少 15 mm 的有源檢測(cè)器厚度,并接近 4π 計(jì)數(shù)幾何形狀。


端蓋中的井插入件由鋁制成,側(cè)壁厚度為 0.5 毫米,底部厚度為 1 毫米。與 0.5 mm 的鋁相比,探測(cè)器元件上的離子注入觸點(diǎn)薄到可以忽略不計(jì),因此這些探測(cè)器本質(zhì)上具有良好的低能量響應(yīng),允許光譜低至 20 keV。


由于鍺具有相對(duì)較低的帶隙,因此必須冷卻這些探測(cè)器以減少載流子的熱生成。

多通道分析儀

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