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AT810經(jīng)濟性原子層沉積設(shè)備是小占地面積臺式系統(tǒng)。采用半導(dǎo)體級金
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AT610經(jīng)濟性原子層沉積設(shè)備是小占地面積臺式系統(tǒng)。采用半導(dǎo)體級金
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AT650/850T臺式熱原子層沉積設(shè)備,具備現(xiàn)場升級為等離子體模式的能
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AT650/850P臺式等離子原子層沉積設(shè)備,其以熱系統(tǒng),配備新高級空心
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AT410經(jīng)濟型原子層沉積設(shè)備具備諸多優(yōu)勢:為占地小的桌面系統(tǒng),尺
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ANRIC推出了目前市場上占地面積最小的原子層沉積(ALD)設(shè)備。AT20
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低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)LPCVD簡介:1.滿足石墨烯和碳納米管研究的高
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AE物理氣相沉積平臺NexdepPVD在經(jīng)濟性和多功能性之間取得了平衡。
