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西安立鼎光電科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第6年

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當(dāng)前位置：西安立鼎光電科技有限公司>>點(diǎn)元光電探測(cè)器>>光伏碲鎘汞HgCdTe PV（0.5um-11um）>> PEM-nvigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um）

vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um）

參   考   價(jià): ￥ 10000

訂  貨  量: ≥1 

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)PEM-n

品       牌VIGO PHOTONICS/波蘭

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

更新時(shí)間：2016-08-25 10:45:37瀏覽次數(shù)：2497次

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vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um）波蘭VIGO公司是生產(chǎn)紅外探測(cè)器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司，該公司生產(chǎn)的紅外探測(cè)器，分制冷型（低溫工作）和非制冷型（室溫工作）兩大類，其中包括70多種型號(hào)。VIGO紅外探測(cè)器符合ISO9000標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量體系，被廣泛用于激光預(yù)警、紅外探測(cè)與監(jiān)控、輻射測(cè)溫、激光跟蹤與定位、激光識(shí)別、計(jì)量和光通訊等的研究與開發(fā)。

vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um）

PEM系列（2-12μm紅外光電磁探測(cè)器、光平直入浸式）

特點(diǎn)：室溫下工作；無(wú)需偏置；光譜范圍（2-12µm）；D*(10.6 µm)達(dá)到2*107cmHz1/2/W；響應(yīng)時(shí)間≤1ns；無(wú)閃動(dòng)噪聲；從直流到高頻工作；重量輕，耐用可靠；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)。

描述：PEM系列經(jīng)過(guò)優(yōu)化使得在波長(zhǎng)為10.6微米可以達(dá)到*的使用狀態(tài)。PEM1使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過(guò)半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。探測(cè)器由(Hg-Cd-Zn-Te)半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)成分選擇和摻雜面處理而獲得，微型永磁鐵提供非常強(qiáng)的磁場(chǎng)。PEM系列的探測(cè)器非常適合10.6微米輻射的外差探測(cè)。無(wú)閃動(dòng)噪音，在整個(gè)2-12 µm光譜范圍內(nèi)可以同時(shí)用于CW和低頻調(diào)制輻射?？梢园纯蛻舳ㄖ破骷囊筇峁┤鐔蝹€(gè)各種規(guī)格的元件、四象限單元、多元件陣列、特定封裝和連接器。vigo碲鎘汞HgCdTe光電磁探測(cè)器（0.5um-11um）

詳細(xì)規(guī)格：

特性（@ 20ºC）

單位

PEM－10.6

PEMI－10.6

*特性波長(zhǎng)λop

μm

10.6

10.6

探測(cè)率:

at λpeak

at λop

cmHz1/2/W

≥1.5E7

≥4E6

≥8E7

≥2E7

電阻率

V/W

≥0.04

≥0.2

響應(yīng)時(shí)間τ

ns

≤1

≤1

電阻

Ω

40－100

40－100

光學(xué)面積（長(zhǎng)×寬）

或直徑(圓形)

mm x mm

mm

0.1×0.1;0.2×0.2;0.5×0.5;1×1;2×2

工作溫度

K

300

視場(chǎng), F/#

deg

60,0.5   38,1.65

 

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